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心急火燎,臺(tái)積電想要在2018年量產(chǎn)7nm工藝

時(shí)間:2015-11-17 09:44:48 來(lái)源:雷鋒網(wǎng) 作者: 智能公社

14/16nm工藝上落后于三星著實(shí)讓臺(tái)積電吃了悶虧,雖然三星的14nm工藝并沒(méi)有臺(tái)積電的16nm FF+工藝強(qiáng)悍,但半年的時(shí)間領(lǐng)先已經(jīng)足夠讓三星去游說(shuō)很多客戶了。好在蘋(píng)果的A9芯片沒(méi)有給臺(tái)積電丟臉,從各種續(xù)航測(cè)試來(lái)看的確將三星甩在身后。過(guò)去半年一直被壓著打的臺(tái)積電總算是翻身吐氣了,為了不重蹈覆轍,臺(tái)積電似乎要加速推送7nm工藝量產(chǎn)。


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10nm還沒(méi)出來(lái)就要推動(dòng)7nm了?實(shí)際上臺(tái)積電準(zhǔn)備在2017年量產(chǎn)10nm工藝,然后在2018年下半年量產(chǎn)7nm。目前的進(jìn)度來(lái)看,臺(tái)積電已經(jīng)完成了10nm工藝的研發(fā),并且準(zhǔn)備在2016年的春季進(jìn)行試產(chǎn),這樣來(lái)看在2017年還是很有可能將10nm推向市場(chǎng)的。

以工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度來(lái)看,實(shí)際上10nm工藝很像是20nm,因?yàn)樘嵘^小都被認(rèn)為是過(guò)渡性質(zhì)的工藝,如此一來(lái)臺(tái)積電想盡早趕上7nm的進(jìn)度也就順理成章了。
 
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